Hard disk Ssd SAMSUNG MZ-VAP8T0BW

Samsung, SSD 8TB, M.2 PCIe 5.0 NVMe, 9100 PRO, V-NAND TLC

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Altre informazioni sui difetti di conformità

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Informazioni sul prodotto
  • PRESTAZIONI ESTREME con velocità di lettura 14,800 MB/s e scrittura 13,400 MB/s
  • DESIGN COMPATTO M.2 2280 ideale per desktop e laptop, con dissipatore integrato per gestione termica
  • SICUREZZA AVANZATA grazie alla crittografia AES 256-bit e supporto TCG/Opal IEEE1667
  • AFFIDABILITÀ OTTIMALE con resistenza agli urti e un MTBF di 1,5 milioni di ore

Descrizione

Il Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC rappresenta una soluzione di storage all'avanguardia per chi cerca prestazioni estreme. Questo SSD rientra nella categoria Informatica, dove puoi trovare altri SSD e accessori per ottimizzare il tuo sistema.

Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Design e Dimensioni

Il Samsung 9100 PRO si presenta nel compatto fattore di forma M.2 2280, ideale per sistemi desktop e laptop che supportano questo standard. Le dimensioni fisiche del dispositivo sono di 80,15 mm di larghezza, 22,15 mm di altezza e 3,88 mm di spessore, con un peso di soli 9,5 grammi. Questo design compatto facilita l'installazione e l'integrazione in configurazioni di sistema avanzate, senza compromettere lo spazio interno. Il dissipatore di calore integrato, con un'altezza di 11,25 mm, assicura una gestione termica efficiente, prevenendo il surriscaldamento e mantenendo le prestazioni ottimali anche sotto carichi di lavoro intensi.

Prestazioni e Funzionalità

Questo SSD sfrutta l'interfaccia PCIe 5.0 x4 e il protocollo NVMe 2.0 per offrire velocità di trasferimento dati eccezionali. La velocità di lettura sequenziale raggiunge i 14.800 MB/s, mentre la velocità di scrittura sequenziale arriva a 13.400 MB/s. Le prestazioni in lettura casuale raggiungono 2.200K IOPS e in scrittura casuale 2.600K IOPS, garantendo tempi di risposta rapidi e fluidi anche con applicazioni che richiedono un'elevata elaborazione di dati frammentati. La memoria flash V-NAND TLC di Samsung, combinata con una cache DRAM da 8GB LPDDR4X, ottimizza ulteriormente le prestazioni, migliorando la gestione dei dati e riducendo la latenza. Il supporto per la crittografia AES 256-bit (Class 0) e gli standard TCG/Opal IEEE1667 garantisce la sicurezza dei dati, proteggendoli da accessi non autorizzati.

Esperienza duso e vantaggi

L'SSD Samsung 9100 PRO è progettato per migliorare significativamente l'esperienza d'uso in diversi scenari, dai giochi hardcore alle applicazioni professionali. Grazie alle elevate velocità di lettura e scrittura, i tempi di caricamento dei giochi e delle applicazioni sono drasticamente ridotti, consentendo un'esperienza più fluida e reattiva. La capacità di gestire un elevato numero di IOPS rende questo SSD ideale per l'elaborazione parallela di dati, migliorando l'efficienza nei carichi di lavoro che richiedono un accesso rapido a grandi quantità di dati. La tecnologia di controllo termico avanzato assicura che l'SSD mantenga prestazioni costanti anche durante sessioni di utilizzo prolungate, prevenendo il throttling termico e garantendo la stabilità del sistema. Il software Samsung Magician offre strumenti di gestione e ottimizzazione che consentono di monitorare lo stato dell'SSD, aggiornare il firmware e proteggere i dati importanti.

Specifiche tecniche aggiuntive

Oltre alle caratteristiche già descritte, il Samsung MZ-VAP8T0 offre diverse funzionalità avanzate per migliorare l'affidabilità e la durata. Il supporto per TRIM e S.M.A.R.T. ottimizza la gestione dei dati e monitora lo stato di salute dell'unità, mentre l'algoritmo di Auto Garbage Collection assicura una pulizia efficiente dei blocchi di memoria, prevenendo il degrado delle prestazioni nel tempo. La resistenza agli urti fino a 1.500 G e un MTBF (Mean Time Between Failures) di 1,5 milioni di ore garantiscono un'elevata affidabilità e una lunga durata operativa. Il consumo energetico è ottimizzato per garantire un'efficienza energetica superiore, con un consumo medio di 10,5 W in lettura e 8,8 W in scrittura, e un consumo in idle di soli 9,3 mW.

Supporto clienti: Per informazioni su ordini, spedizioni e pagamenti, visita Supporto Yeppon.

Dati tecnici

Dati su imballaggio

Tipo di imballo

Scatola

Altre caratteristiche

Durata della garanzia

5 Anno/i

Dimensioni e peso

Profondità

3,88 mm

Larghezza

80,2 mm

Altezza

22,1 mm

Condizioni ambientali

Shock di funzionamento

1500 G

Intervallo temperatura di funzionamento

0 - 70 °C

Gestione energetica

Tensione di esercizio

3,3 V

Caratteristiche

Interfaccia

PCI Express 5.0

Velocità di lettura

14800 MB/s

Velocità di scrittura

13400 MB/s

Tipo memoria

V-NAND TLC

Algoritmi di sicurezza supportati

256-bit AES

Capacità SSD

8 TB

Componente per

PC/PC portatile

Linee dati dell'interfaccia PCI Express

X4

criptaggio hardware

Si

Lettura casuale (4KB)

2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Scrittura casuale (4KB)

2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Tempo medio tra guasti (MTBF)

1500000 h

Supporto S.M.A.R.T.

Si

Supporto TRIM

Si

Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)

Si

NVMe

Si

Dimensione SSD

M.2

Codice EAN: 8806095811680



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